智慧芽《氮化镓(GaN)技术洞察报告》:第三代半导体应用广泛 中国企业发力强劲
智慧芽《氮化镓(GaN)技术洞察报告》:第三代半导体应用广泛 中国企业发力强劲:12月28日,智慧芽旗下智慧芽创新研究中心最新发布《第三代半导体-氮化镓(GaN)技术洞察报告》(下称“报告”),从技术角度全面洞察分析了氮化镓这一产业的诞生、
12月28日,智慧芽旗下智慧芽创新研究中心最新发布《第三代半导体-氮化镓(GaN)技术洞察报告》(下称“报告”),从技术角度全面洞察分析了氮化镓这一产业的诞生、产业发展和未来突破。
资料显示,氮化镓(GaN)主要是指一种由人工合成的半导体材料,是第三代半导体材料的典型代表,研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓应用范围广泛,作为支撑“新基建”建设的关键核心器件,其下游应用切中了“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁等主要领域。此外,氮化镓的高效电能转换特性,能够帮助实现光伏、风电(电能生产),直流特高压输电(电能传输),新能源汽车、工业电源、机车牵引、消费电源(电能使用)等领域的电能高效转换,助力“碳达峰,碳中和”目标实现。
智慧芽数据显示,全球在氮化镓产业已申请16万多件专利,有效专利6万多件。其中,保护类型以发明专利为主,行业技术创新度比较高。报告指出,该领域美日技术实力较强,中美日市场较热。
从氮化镓领域全球技术布局来看,中国、美国和日本为氮化镓技术热点布局的市场。其中,美国和日本起步较早,起步于20世纪70年代初,而中国起步虽晚,但后起发力强劲。值得注意的是,目前全球的氮化镓技术主要来源于日本。
报告显示,全球氮化镓主要创新主体的龙头主要集中于日本。氮化镓产业国外重点企业包括日本住友、美国Cree、德国英飞凌、韩国LG、三星等,中国企业代表有晶元光电、三安光电、台积电、华灿光电等。但目前中国企业和国外企业相比,专利申请数量仍有一定差距。
国内方面,LED龙头“三安光电”在氮化镓领域有一定技术储备。在氮化镓领域,三安光电同样集中于产业链中游——器件模组的研究2016年后,三安光电对可见光LED的专利申请量逐渐下降,并开始增加对Micro/Mini LED、GaN基FET的专利申请。
技术上看,氮化镓的重点技术主要包括三大方面:GaN衬底技术、氮化镓基FET器件技术、MicroLED显示技术。
报告显示,全球GaN衬底技术共有13000多件专利,其中有效专利量4800多件,占比为35.2%。其中,审中专利占比较少,可见未来有效专利增长空间较小。此外,日本和美国两大市场分布的专利较多。
整体上,氮化镓基FET器件正在向多单元模块化发展。报告显示,在这一领域中,美国、日本和中国为GaN基FET器件热点布局的市场,其中重点为美国市场。自2000年起,该技术领域开始快速发展,且到2010年后,发展速度进一步加快。头部企业中,日本企业仍占据大多数,且美国Cree和英特尔也占有一定的优势。
在Micro LED领域,巨量转移技术是该领域发展的重点。报告显示,Micro/MiniLED技术在近5年处于高速发展期,中国专利申请趋势与全球总体一致,并且近5年的发展势头迅猛,全球领先。在这一技术的全球主要专利申请人中,Facebook和苹果公司分别位列第一、第二,国内企业如京东方、歌尔股份、三安光电等也都名列前茅。
文章来源:证券日报网-
天然气行业深度报告:碳中和加速能源转型 我国天然气未来发展空间广阔2021-12-28
-
如何推动建筑领域实现碳达峰碳中和2021-12-28
-
解困占地瓶颈光伏农业助力碳达峰碳中和2021-12-28
-
解困光伏占地瓶颈 光伏农业助力碳达峰碳中和2021-12-28
-
实现市直机关2020年度碳中和2021-12-28
-
浙江宁波市发布《宁波市碳达峰碳中和科技创新行动方案》2021-12-28
-
李俊峰:碳中和的本质是从资源依赖走向技术依赖的发展转型2021-12-28
-
巴西圣保罗市政府推出“碳中和”监测管理平台2021-12-28
-
山西省推进碳达峰碳中和行动“1+X”政策体系编制工作方案2021-12-28
-
央行货币政策委员会:促进实现碳达峰、碳中和为目标完善绿色金融体系2021-12-27
-
国家绿色发展基金汪义达:绿色金融助力实现碳达峰、碳中和2021-12-27
-
富士胶片设立减排新目标:提前10年至2040财年实现碳中和2021-12-27
-
环保工程及服务行业周报:着力提升资源利用效率 开展碳中和专项立法研究2021-12-27
-
拟跨界切入光伏发电行业 新筑股份打开绿色低碳想象空间2021-12-25
-
美团碳中和成绩单:近两百万人用数字人民币低碳出行2021-12-24
-
新疆交建:公司对于国有农业用林地承包经营权对外转包不涉及碳中和交易2021-12-24